首頁>GT50J121(Q)>芯片詳情

GT50J121 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    GT50J121

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    58000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO3PL

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-10 9:35:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：GT50J121品牌：TOSHIBA/東芝

全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!

  • 芯片型號：

    GT50J121

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    317.63 kb

  • 資料說明：

    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT50J121(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.3mJ（開），1.34mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    90ns/300ns

  • 測試條件：

    300V，50A，13 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（LH）

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科芯源微電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林佳偉

  • 手機(jī)：

    13692203079

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13692203079

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深坊C座5102

相近型號