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首頁(yè)>GT50J325(Q)>芯片詳情
GT50J325(Q)_TOSHIBA/東芝_IGBT 晶體管 600V/50A DIS+FRD華博特電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
GT50J325(Q)
- 功能描述:
IGBT 晶體管 600V/50A DIS+FRD
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華博特電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
代理商
- 手機(jī):
13632684223
- 詢價(jià):
- 電話:
13632684223
- 地址:
深圳市福田區(qū)振中路與中航路交匯處新亞洲國(guó)利大廈1202
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