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GT50J325

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?FourthgenerationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) ?Highspeed:tf=0.05μs(typ.) ?Lowswitchingloss:Eon=1.30mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT50J325

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT50J325

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT50J325_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    GT50J325

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3PIN TO-3P(LH) - Trays

  • 功能描述:

    IGBT 600V TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(LH); Transistor

  • Type:

    IGBT; DC Collector

  • Current:

    50A; Collector Emitter Voltage

  • Vces:

    2.45V; Power Dissipation

  • Pd:

    240W; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo:

    600V; Operating Temperature

  • Min:

    -55C; No. of

  • Pins:

    3 ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
21+
TO-3PL
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TO-3P(LH)
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只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持
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更多GT50J325供應商 更新時間2024-11-1 21:46:00