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GT50J325中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT50J325
廠商型號

GT50J325

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數(shù)量

73

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 20:18:00

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GT50J325規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT50J325

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3PIN TO-3P(LH) - Trays

  • 功能描述:

    IGBT 600V TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(LH); Transistor

  • Type:

    IGBT; DC Collector

  • Current:

    50A; Collector Emitter Voltage

  • Vces:

    2.45V; Power Dissipation

  • Pd:

    240W; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo:

    600V; Operating Temperature

  • Min:

    -55C; No. of

  • Pins:

    3 ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

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