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GT60M303

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT60M303

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT60M303

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORSILICONNCHANNELIGBT

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS ●FourthgenerationIGBT ●FRDincludedbetweenemitterandcollector ●Enhancementmodetype ●Highspeed IGBT:tf=0.25μs(TYP.) FRD:trr=0.7μs(TYP.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.1V(TYP.)

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GT60M303A

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT60M303-Q

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    GT60M303(Q)

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 900V/60A DIS+FRD Trench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
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原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換 徐小姐13714450367
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原裝現(xiàn)貨!可長(zhǎng)期供貨!
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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TOSHIBA/東芝
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TO-3P
4000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多GT60M303(Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 18:17:00

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