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GT80J101A

Discrete IGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT80J101

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT80J101

NCHANNELMOSTYPE(HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT80J101B

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications ·Enhancementmodetype ·Highspeed:tf=0.40μs(max)(IC=80A) ·Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.9V(max)(IC=80A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    GT80J101A

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 80A I(C) | TO-247VAR

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TOSHIBA
2016+
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專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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更多GT80J101A供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 22:58:00