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GTC9926

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GTC9926E

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GTS9926

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features *Lowon-resistance *Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GTS9926E

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features *Lowon-resistance *Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent *Surfacemountpackage

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

H9926CS

DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)

Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

H9926CTS

DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)

Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

H9926S

DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)

Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

H9926TS

DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)

Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

HM9926B

DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

JMTP9926A

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GTC9926

  • 制造商：

    GTM

  • 制造商全稱：

    GTM

  • 功能描述：

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
GTM
23+
NA
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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GTM
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SOP-8
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
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Littelfuse(美國力特)
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16718
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
更多GTC9926供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 17:09:00

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