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GTRA184602FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 460 W, 48 V, 1805 – 1880 MHz

Description TheGTRA184602FCisa460-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellular poweramplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNonSiCHEMT

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更多GTRA184602FC-V1-R2供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 15:00:00

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