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GTRA260502M-V1-R3K

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 50 W, 48 V, 2515 – 2675 MHz

Description TheGTRA260502Misa50-watt(P3dB)GaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpoweramplifier applications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedDFNSMDpackage. Features ?GaNonSiCHEMTtechnology ?T

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更多GTRA260502M-V1-R3K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-30 15:32:00

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