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GTVA107001FC-V1-R2中文資料WOLFSPEED數據手冊PDF規(guī)格書

GTVA107001FC-V1-R2
廠商型號

GTVA107001FC-V1-R2

功能描述

High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, DC - 1.4 GHz

文件大小

638.73 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-10 17:26:00

GTVA107001FC-V1-R2規(guī)格書詳情

Description

The GTVA107001EC and GTVA107001FC are 700-watt GaN on SiC high electron mobility transistors (HEMT) for use in the DC - 1.4 GHz frequecy band.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical pulsed CW performance (class AB), 1030 MHz,

50 V, 128 μs pulse width, 10 duty cycle

- Output power P3dB = 890 W

- Drain efficiency = 75

- Gain = 18 dB

? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch (all

phase angles at 700 W peak power under pulse conditions: 50 V, 100 mA IDQ,128 μs pulse width, 10 duty

cycle

? Human Body Model Class IC (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

? Pb-free and RoHS-compliant

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