GTVA261701FA-V1-R2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 WOLFSPEED

原廠料號(hào)：GTVA261701FA-V1-R2品牌：Wolfspeed, Inc.

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

GTVA261701FA-V1-R2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商Wolfspeed, Inc.生產(chǎn)封裝NA/的GTVA261701FA-V1-R2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號(hào)：

  GTVA261701FA-V1-R2

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  WOLFSPEED詳情

• 廠商全稱：

  WOLFSPEED, INC.

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  10 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  750.06 kb

• 資料說(shuō)明：

  Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz