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IQFH36N04NM6

Marking：H36N04NM6；Package：PG-TSON-12；MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

Features ?OptimizedforLowVoltageDrivesapplications ?OptimizedforBatteryPoweredapplications ?OptimizedforSynchronousRectification ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?100%avalanchetested ?Superiorthermalresistance ?N-channel ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?H

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多H36N04NM6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 10:08:00

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