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H55S1262EFP-60M

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1262EFP-75E

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1262EFP-75M

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1262EFP-A3E

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1262EFP-A3M

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1G22MFP-60

1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1G22MFP-75

1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1G22MFP-A3

1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1G32MFP-60

1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

H55S1G32MFP-75

1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

晶體管資料

  • 型號:

    H5551

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

  • 性質:

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    180V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    100MHZ

  • 引腳數:

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    180

  • htest:

    100000000

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.625

詳細參數

  • 型號:

    H55

  • 制造商:

    CONNOR-WINFIELD

  • 制造商全稱:

    Connor-Winfield Corporation

  • 功能描述:

    TIGHT TOLERANCE CLOCKS

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Intel
8000
原裝現(xiàn)貨
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HARRIS
24+
SO-8
3200
絕對原裝自家現(xiàn)貨!真實庫存!歡迎來電!
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9000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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23+
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8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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HynixSemiconductor
24+
90BALLFBGA
6000
進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天
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HYNIX
10+
BGA
2000
詢價
HARRIS
23+
SOP
5000
原裝正品,假一罰十
詢價
更多H55供應商 更新時間2023-3-4 12:30:00