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H5N5004PL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N5004PL-E0-E

500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.09Ωtyp.(atID=25A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching ?Lowgatecharge ?Avalancheratings ?Built-infastrecoverydiode:trr=190nstyp ?Qualitygrade:Standard

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瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N5004PL-E0-E_15

500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N5004PL

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N5004PL

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.09?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μAmax(atVDS=500V) ?Highspeedswitching:tf=280nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=25A) ?Lowgatecharge:Qg=220nCtyp(atVDD=400V,VGS=10V,ID=50A) ?Avalancherati

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瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    H5N5004PL-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Box Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多H5N5004PL-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 9:00:00