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HAT2203C	文件：102.67 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2203C	文件：97.5 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETpowerswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2203C-EL-E	文件：102.67 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2203C-EL-E	文件：90.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HO-NP-2203	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團	LEM
HO-P-2203	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團	LEM
HT2203L	文件：548.52 Kbytes Page：24 Pages	LCDMODULE(240?RGB?320Dots)	HYES HYES Optoelectronics, Inc.	HYES
HV2203	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV2203FG-G	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV2203PJ-G	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IIRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL2203	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL2203NL	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NPBF	文件：183.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NPBF	文件：192.01 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NS	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
HA-2203
制造商：
Ideal Industries Inc
功能描述：
tools

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	HA22033GE	RENESAS瑞薩/HITACHI日立	24+	SOT-153SOT-23-5	6250	新進庫存/原裝	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	HA22033GE	HITACHI	23+	SOT-23-5	27000	全新原裝正品	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	HA22033GE	Hitachi	22+23+	Sot-153	34604	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
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中天科工半導體（深圳）有限公司	HA22033GE-EL	RENESAS	20+	SOT23-5	49000	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	HA22033GE-EL	HITACHI/日立	23+	SOT-153	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	HA22033GE-EL	HITACHI	23+	SOT23-5	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	HA22033GE-EL	HITACHI/日立	2022	SOT-153	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價

更多HA-2203供應(yīng)商更新時間2024-12-27 16:30:00

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