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HAE103MBACCGKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：徑向，圓片式類別：電容器陶瓷電容器描述：CAP CER 10000PF 1KV RADIAL	TS T&S Brass. All Rights Reserved.	TS
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HAL103	文件：197.8 Kbytes Page：2 Pages	Low-CostHall-EffectSensorFamily	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAL103JQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS Micronas	MICRONAS
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HAL103TQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAL103TQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAX103	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
HAX103BAKR	文件：259.839 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
HBE103	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
HBE103BBKR	文件：259.839 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
HBX103	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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HDB103G	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifier50to1000Volts Features ?HighForwardSurgeCapability ?Idealforprintedcircuitboards ?HighTemperatureSoldering:250oCfor10seconds ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
HDB103G	文件：322.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
HDB103G	文件：64.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0Ampglasspassivatedbridgehighefficientrectifier50to1000volts Features ?HighForwardSurgeCapability ?Idealforprintedcircuitboards ?HighTemperatureSoldering:250oCfor10seconds ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗電子上海商朗電子科技有限公司	CHENYI
HDB103G	文件：109.6 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers Features ◇ULRecognizedFile#E-96005 ◇Glasspassivatedjunction ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechnique ◇Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds/0.375”(9.5mm) leadlengthat5lbs.,(2.3kg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
HDB103G	文件：243.89 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers Features ◇Glasspassivatedjunction ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechnique ◇Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds/0.375”(9.5mm) leadlengthat5lbs.,(2.3kg)tension ◇Smallsize,simplei	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
HAE103MBACCGKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
類別：
電容器 > 陶瓷電容器
系列：
HAE
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±20%
電壓 - 額定：
1000V（1kV）
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
特性：
高電壓
應(yīng)用：
通用
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
徑向，圓片式
大小 / 尺寸：
0.591" 直徑（15.00mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.709"（18.00mm）
引線間距：
0.295"（7.50mm）
引線樣式：
直形
描述：
CAP CER 10000PF 1KV RADIAL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	HAE103MBACCGKR	VISHAY(威世)	23+	插件,P=7.5mm	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
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