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首頁>HBDM60V600W-7>芯片詳情
HBDM60V600W-7_DIODES_兩極晶體管 - BJT 200mW Half H-Bridge柯爾基電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
HBDM60V600W-7
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 200mW Half H-Bridge
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應商
- 企業(yè):
深圳市柯爾基電子有限公司
- 商鋪:
- 聯系人:
鄧小姐/張小姐/高先生/馮先生
- 手機:
13322992790/13322996087
- 詢價:
- 電話:
0755-82724303
- 傳真:
0755-82724303
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強電子佳和B座1301 上海 市虹口區(qū)密云路477號-203 柜臺新亞洲電子市場
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