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HD14012B	文件：61.31 Kbytes Page：6 Pages	Dual 4-input NAND Gate FEATURES ●QuiescentCurrent=0.5nAtyp/pkg@5V ●NoiseImmunity=45ofVDDtyp ●CapableofDrivingOneLow-powerSchottkyTTLLoadOvertheRatedTemperatureRange ●Pin-forPinReplacementsforCD4012BandMC14012BSeries	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HFCD14012PSBK	文件：236.28 Kbytes Page：1 Pages	Indoor/OutdoorTightBufferCablePlenum	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯爾公司	HUBBELL
HFCD14012RSBK	文件：236.27 Kbytes Page：1 Pages	Indoor/OutdoorTightBufferCableRiser	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯爾公司	HUBBELL
L-14012	文件：58.45 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LBN14012	文件：46.6 Kbytes Page：1 Pages	SAWFilterElectricalCharacteristic	SIPATSIPAT Co,Ltd 勝普電子重慶勝普電子有限公司	SIPAT
LBN14012	文件：51.83 Kbytes Page：1 Pages	SAWFilterElectricalCharacteristic	SIPATSIPAT Co,Ltd 勝普電子重慶勝普電子有限公司	SIPAT
MC14012B	文件：105.07 Kbytes Page：7 Pages	Dual4-InputNANDGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012B	文件：150.29 Kbytes Page：9 Pages	B??uffixSeriesCMOSGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012B	文件：177.67 Kbytes Page：8 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithP?ChannelandN?Channelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. Features ?SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc ?All	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012B	文件：327.76 Kbytes Page：11 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithPandNchannelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. 1.SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc 2.AllOutputsBuffered	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MC14012BCL	文件：327.76 Kbytes Page：11 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithPandNchannelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. 1.SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc 2.AllOutputsBuffered	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MC14012BCP	文件：327.76 Kbytes Page：11 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithPandNchannelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. 1.SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc 2.AllOutputsBuffered	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MC14012BCP	文件：177.67 Kbytes Page：8 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithP?ChannelandN?Channelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. Features ?SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc ?All	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012BCP	文件：150.29 Kbytes Page：9 Pages	B??uffixSeriesCMOSGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012BCPG	文件：127.72 Kbytes Page：8 Pages	Dual4-InputNANDGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012BCPG	文件：150.29 Kbytes Page：9 Pages	B??uffixSeriesCMOSGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012BD	文件：327.76 Kbytes Page：11 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithPandNchannelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. 1.SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc 2.AllOutputsBuffered	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MC14012BD	文件：177.67 Kbytes Page：8 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithP?ChannelandN?Channelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. Features ?SupplyVoltageRange=3.0Vdcto18Vdc ?All	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012BD	文件：150.29 Kbytes Page：9 Pages	B??uffixSeriesCMOSGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MC14012BDG	文件：127.72 Kbytes Page：8 Pages	Dual4-InputNANDGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
HD14012B
制造商：
HITACHI
制造商全稱：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Dual 4-input NAND Gate

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	HD14012BP		24+	DIP	1162		詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	HD14012BP	HIT	90+	DIP14	1570	全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	HD14012BP	HIT	23+	DIP	8890	價(jià)格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	HD14012BP	HIT	17+	DIP14	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫存	詢價(jià)
上海鑫科潤電子科技有限公司	HD14012BP	HIT	1996	DIP	175	原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	HD14012BP	HIT	22+	DIP	5000	進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	HD14012BP		22+	DIP	2700	全新原裝自家現(xiàn)貨優(yōu)勢!	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	HD14012BP	HITACHI	22+23+	DIP	37014	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	HD14012BP	HIT	2020+	NA	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	HD14012BP	HITACHI/日立	23+	DIP14	9800	全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)

更多HD14012B供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 16:30:00

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