HFA3127BZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HFA3127BZ |
| 參數(shù)屬性 | HFA3127BZ 封裝/外殼為16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC |
| 功能描述 | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | 16LDSOIC / 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
790.14 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-13 22:30:00 |
HFA3127BZ規(guī)格書詳情
Features
? NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
? NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
? NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
? PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz
? PNP current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
? PNP early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
? Noise figure (50Ω) at 1.0GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
? Collector to collector leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . . .<1pA
? Complete isolation between transistors
? Pin compatible with industry standard 3XXX series arrays
? Pb-free (RoHS compliant)
Applications
? VHF/UHF amplifiers
? VHF/UHF mixers
? IF converters
? Synchronous detectors
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
HFA3127BZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
5 NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值：
150mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，2V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
16-SOIC
- 描述：
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020+ |
SOP16 |
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