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HFA3127BZ

Marking：HFA3127BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays

TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi

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瑞薩瑞薩科技有限公司

HFA3127BZ

Marking：HFA3127BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays

Features ?NPNtransistor(fT)..........................8GHz ?NPNcurrentgain(hFE)........................130 ?NPNearlyvoltage(VA)........................50V ?PNPtransistor(fT)................

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HFA3127BZ

Ultra High Frequency Transistor Arrays

Intersil

Intersil Corporation

HFA3127BZ

Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HFA3127BZ96

Marking：HFA3127BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays

Features ?NPNtransistor(fT)..........................8GHz ?NPNcurrentgain(hFE)........................130 ?NPNearlyvoltage(VA)........................50V ?PNPtransistor(fT)................

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HFA3127BZ96

Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HFA3127R

UltraHighFrequencyTransistorArrays

Intersil

Intersil Corporation

HFA3127RZ

UltraHighFrequencyTransistorArrays

Intersil

Intersil Corporation

HFA3127RZ

UltraHighFrequencyTransistorArrays

TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi

RENESASRenesas Technology Corp

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HFA3127RZ

UltraHighFrequencyTransistorArrays

Features ?NPNtransistor(fT)..........................8GHz ?NPNcurrentgain(hFE)........................130 ?NPNearlyvoltage(VA)........................50V ?PNPtransistor(fT)................

RENESASRenesas Technology Corp

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HFA3127BZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    5 NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    3.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 10mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    65mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-SOIC

  • 描述：

    RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HFA3127BZ供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 8:40:00

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