HFA3128RZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
HFA3128RZ |
參數(shù)屬性 | HFA3128RZ 封裝/外殼為16-VFQFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN |
功能描述 | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | 16LD3x3QFN / 16-VFQFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
790.14 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-20 15:11:00 |
人工找貨 | HFA3128RZ價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HFA3128RZ規(guī)格書詳情
Features
? NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
? NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
? NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
? PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz
? PNP current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
? PNP early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
? Noise figure (50Ω) at 1.0GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
? Collector to collector leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . . .<1pA
? Complete isolation between transistors
? Pin compatible with industry standard 3XXX series arrays
? Pb-free (RoHS compliant)
Applications
? VHF/UHF amplifiers
? VHF/UHF mixers
? IF converters
? Synchronous detectors
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
HFA3128RZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
5 PNP
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
15V
- 頻率 - 躍遷:
5.5GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
3.5dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值:
150mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 10mA,2V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
16-VFQFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
16-QFN(3x3)
- 描述:
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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