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HFP830中文資料華汕電子器件數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HFP830
廠商型號

HFP830

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

398.35 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD
企業(yè)簡稱

Huashan華汕電子器件

中文名稱

汕頭華汕電子器件有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-5 20:00:00

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HFP830規(guī)格書詳情

General Description

This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topolgy like a electronic lamp ballast.

Features

? 4.5A, 500V, RDS(on) = 1.5?@VGS = 10 V

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? Equivalent Type:IRF830

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HFP830

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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