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HGT1N40N60A4D

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGT1N40N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofaMOSFETandabipolartransistor.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltage dropvariesonly

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGT1N40N60A4D

包裝:托盤 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

HGT1N40N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGT1N40N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofaMOSFETandabipolartransistor.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltage dropvariesonly

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGT1N40N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,40A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD
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更多HGT1N40N60A4D供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 16:03:00