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HGT1N40N60A4D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

HGT1N40N60A4D
廠商型號

HGT1N40N60A4D

參數(shù)屬性

HGT1N40N60A4D 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

152.32 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 14:30:00

HGT1N40N60A4D規(guī)格書詳情

The HGT1N40N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage

drop varies only moderately between 25°C and 150°C. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.

Features

? 100kHz Operation At 390V, 22A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . . 55ns at TJ= 125°C

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGT1N40N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,40A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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