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HGT1S10N120BNST_ONSEMI/安森美半導體_IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V星宇佳科技
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
HGT1S10N120BNST
- 功能描述:
IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市星宇佳科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
陳先生
- 手機:
15361821905
- 詢價:
- 電話:
0755-82522195
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1004號南光大廈510
相近型號
- HGT1S2N120CN
- HGR2M
- HGT1S7N60A4DS
- HGQ022N03A
- HGT1S7N60A4DS9A
- HGQ01N04A-G
- HGQ018N03A
- HGQ014N04B-G
- HGT5A40N60A4D
- HGTD10N40F1
- HGQ014N04A-G
- HGTD10N40F1S
- HGQ011N03A-G
- HGTD10N50F1
- HGPFPT001A
- HGP210N20S
- HGTD10N50F1S
- HGTD1N120BNS9A
- HGP-12A
- HGP098N10AL
- HGTD7N60C3S
- HGP057N15S
- HGTG10N120BND
- HGTG11N120
- HGP040N06SL
- HGP029N06SL
- HGTG11N120CND
- HGTG12N60A4D
- HGP028NE6A
- HGTG18N120BN
- HGP018N04A
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- HGTG18N120BND
- HGOP37BM/TR
- HGTG20N100D2
- HGTG20N120
- HGOP37AM/TR
- HGTG20N120CND
- HGOP27CM/TR
- HGOP27BM/TR
- HGTG20N120E2
- HGOP27AM/TR
- HGTG20N60A4
- HGOP177BM/TR
- HGTG20N60A4D
- HGOP177AM/TR
- HGTG20N60B3
- HGOP07DN
- HGTG20N60B3D
- HGOP07DMM/TR