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HGT1S10N120BNST中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
HGT1S10N120BNST規(guī)格書詳情
The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor
Features
? 35A, 1200V, TC = 25oC
? 1200V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
? Avalanche Rated
? Thermal Impedance SPICE Model
Temperature Compensating SABER? Model
www.fairchildsemi.com
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
HGT1S10N120BNST
- 功能描述：
IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO263 |
65300 |
一級(jí)代理/放心購(gòu)買! |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO263 |
12000 |
原裝進(jìn)口、正品保障、合作持久 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
14+ |
TO263 |
4 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
21812 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO263 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2022+ |
TO263 |
57550 |
詢價(jià) | |||
ONSEMI |
23+ |
IGBT |
5864 |
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
115 |
原廠授權(quán)代理 價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
