首頁>HGT1S3N60A4DS9A>芯片詳情

HGT1S3N60A4DS9A_FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series中福國際1部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    HGT1S3N60A4DS9A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    FAIRCHILD

  • 庫存數(shù)量：

    6315

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號：

    20+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-3-10 10:35:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：HGT1S3N60A4DS9A品牌：FAIRCHILD

進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十

  • 芯片型號：

    HGT1S3N60A4DS9A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    113.52 kb

  • 資料說明：

    600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    HGT1S3N60A4DS9A

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13534030369

  • 詢價：
  • 電話：

    4000-969-680

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場B座22F

相近型號