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HGTG10N120BN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG10N120BN
廠商型號

HGTG10N120BN

參數(shù)屬性

HGTG10N120BN 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

文件大小

201.1 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-5 9:48:00

HGTG10N120BN規(guī)格書詳情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor

Features

? 35A, 1200V, TC = 25oC

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER? Model

www.fairchildsemi.com

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG10N120BND

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    850μJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/165ns

  • 測試條件:

    960V,10A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Fairchild(飛兆/仙童)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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原廠原封
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進(jìn)口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品
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