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HGTG11N120CND 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

HGTG11N120CND參考圖片

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  • 廠家型號：

    HGTG11N120CND

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi

  • 庫存數(shù)量：

    6350

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-9 14:47:00

  • 詳細信息
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原廠料號：HGTG11N120CND品牌：onsemi

專注原裝正品代理分銷,認準水星電子

HGTG11N120CND是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3的HGTG11N120CND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTG11N120CND

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    437.08 kb

  • 資料說明：

    NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG11N120CND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，11A

  • 開關(guān)能量：

    950μJ（開），1.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/180ns

  • 測試條件：

    960V，11A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市水星電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機：

    13632880560

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-89585609

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號華南國際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號樓B1C177

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