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HGTG11N120CND 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

HGTG11N120CND參考圖片

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    HGTG11N120CND

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    232

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    11+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-9 10:35:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：HGTG11N120CND品牌：ON/安森美

HGTG11N120CND是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的HGTG11N120CND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    HGTG11N120CND

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大小：

    437.08 kb

  • 資料說(shuō)明：

    NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG11N120CND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，11A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    950μJ（開(kāi)），1.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/180ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，11A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13534030369

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    4000-969-680

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F

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