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HGTP10N120BN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    HGTP10N120BN

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON SEMICONDUCTOR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    2500

  • 產(chǎn)品封裝：

    con

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-13 9:00:00

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原廠料號(hào)：HGTP10N120BN品牌：ON SEMICONDUCTOR

優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝正品

HGTP10N120BN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N SEMICONDUCTOR/onsemi生產(chǎn)封裝con/TO-220-3的HGTP10N120BN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    HGTP10N120BN

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    81.67 kb

  • 資料說(shuō)明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTP10N120BN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    320μJ（開(kāi)），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/165ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王女士

  • 手機(jī)：

    13969210552

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    13969210552

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)城市商業(yè)中心3204

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