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HGTP12N60C3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

HGTP12N60C3參考圖片

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  • 廠家型號：

    HGTP12N60C3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    180

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220

  • 生產(chǎn)批號：

    2410+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-2-2 16:12:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：HGTP12N60C3品牌：ON/安森美

原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.

HGTP12N60C3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的HGTP12N60C3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTP12N60C3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    119.57 kb

  • 資料說明：

    24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTP12N60C3

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    380μJ（開），900μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 24A 104W TO220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13751179224

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82561519/0755-82567969/18928435545

  • 傳真：

    0755-82561519

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)304棟西5樓503室

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