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IRF520

IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRF520

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRF520

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF520

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF520

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF520A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF520A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF520FI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.23? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

IRF520FI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?HighCurrent,HighSpeedSwitching ?DC-DC&DC-ACConverters ?MotorControl,AudioAmplifiers ?FEATURES ?TypicalRDS(on)=0.23Ω ?AvalancheRuggedTechnology ?HighCurrentCapability ?LowGateCharge ?175℃OperatingTemperature

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF520L

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HMC520-SX

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻混頻器

  • 包裝：

    散裝

  • 射頻類型：

    通用

  • 頻率：

    6GHz ~ 10GHz

  • 輔助屬性：

    升頻器

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IC MMIC IQ MIXER DIE 1=2PCS

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更多HMC520-SX供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 16:39:00

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