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HMC756RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC756
廠商型號

HMC756

參數(shù)屬性

HMC756 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR);類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ DIE

功能描述

GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz

文件大小

289.78 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Hittite Microwave Corporation
企業(yè)簡稱

Hittite

中文名稱

Hittite Microwave Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 19:49:00

HMC756規(guī)格書詳情

General Description

The HMC756 is a three stage GaAs PHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifi er which operates between 16 and 24 GHz. The HMC756 provides 23 dB of gain, and +33 dBm of saturated output power at 28 PAE from a +7V supply. The RF I/Os are DC blocked and matched to 50 Ohms for ease of integration into Multi-Chip-Modules (MCMs). All data is taken with the chip in a 50 Ohm test fi xture connected via 0.025 mm (1 mil) diameter wire bonds of length 0.31 mm (12 mils).

Features

Saturated Output Power: +33 dBm @ 28 PAE

High Output IP3: +41 dBm

High Gain: 23 dB

DC Supply: +7V @ 790 mA

DC Blocked RF I/Os

No External Matching Required

Die Size: 2.4 x 1.6 x 0.1 mm

Typical Applications

The HMC756 is ideal for:

? Point-to-Point Radios

? Point-to-Multi-Point Radios

? VSAT

? Military & Space

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HMC756

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    16GHz ~ 24GHz

  • P1dB:

    32dBm

  • 增益:

    23dB

  • 射頻類型:

    VSAT

  • 電壓 - 供電:

    7V

  • 電流 - 供電:

    790mA

  • 測試頻率:

    16GHz ~ 20GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ DIE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Analog Devices
24+
NA
20928
ADI優(yōu)勢主營型號-原裝正品
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HITTITE
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三年內(nèi)
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