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HMC757LP4ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC757LP4E
廠商型號

HMC757LP4E

參數(shù)屬性

HMC757LP4E 封裝/外殼為24-VFQFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP GP 16GHZ-24GHZ 24SMT

功能描述

GaAs pHEMT MMIC WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz

封裝外殼

24-VFQFN 裸露焊盤

文件大小

993.38 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Hittite Microwave Corporation
企業(yè)簡稱

Hittite

中文名稱

Hittite Microwave Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 14:32:00

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HMC757LP4E規(guī)格書詳情

General Description

The HmC757lp4e is a three stage GaAs pHemT mmiC 1 watt power Amplifier which operates between 16 and 24 GHz. The HmC757lp4e provides 20.5 dB of gain, and 27.5 dBm of saturated output power and 21 pAe from a +5V supply. The rf i/os are DC blocked and matched to 50 ohms. The 4x4 mm plastic package eliminates the need for wirebondig, and is compatible with surface mount manufacturing techniques.

Features

Saturated Output Power: 27.5 dBm @ 21 PAE

High Output ip3: 34.5 dBm

High Gain: 20.5 dB

DC Supply: +5V @ 400 mA

No External Matching Required

24 Lead 4x4 mm SMT Package: 16 mm2

Typical Applications

The HMC757LP4E is ideal for:

? Point-to-Point radios

? Point-to-Multi-Point radios

? VSAT

? Military & Space

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HMC757LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    16GHz ~ 24GHz

  • P1dB:

    26.5dBm

  • 增益:

    20.5dB

  • 射頻類型:

    通用

  • 電壓 - 供電:

    5V ~ 6V

  • 電流 - 供電:

    400mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    24-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 16GHZ-24GHZ 24SMT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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