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HUR820S

UltraFastRecoveryEpitaxialDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

IFRI820G

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.1A)

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.1A)

IRF

International Rectifier

IGAP-820

IndustrialIEEE802.11ac/g/nwirelessaccesspoint

ORING

ORing Industrial Networking Corp

IGL820R

LockingDevices

COOPER

COOPER

IM820

Pb-free,RoHSandREACHcompliant

ILSI

ILSI America LLC

IQXO-820

CrystalClockOscillatorSpecification

IQD

IQD Frequency Products Ltd

IR-820

ImageRejectionMixers

BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD.

博威集成電路河北博威集成電路有限公司

IRF820

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF820

N-CHANNEL500V-2.5ohm-2.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET

DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=2.5? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALAN

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRF820

N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多HMD820F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 14:06:00

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