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HN1B01FDW1T1

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features ?HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA ?HighhFE:hFE=200~400 ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:3A ?MachineModel:C ?Pb?F

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

HN1B01FDW1T1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features ?HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA ?HighhFE:hFE=200~400 ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:3A ?MachineModel:C ?Pb?F

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安森美半導體安森美半導體公司

HN1B01FDW1T1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

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SHN1B01FDW1T1G

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features ?HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA ?HighhFE:hFE=200~400 ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:3A ?MachineModel:C ?SPrefixforAutomo

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    HN1B01FDW1T1

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEMICONDUC
05+
原廠原裝
58216
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
ON
24+
SC74
6000
進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天
 詢價
ONSEMICON
24+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
ON
0132+
SC-74
457
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
ON
23+
SOT163
3000
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價
ON Semiconductor
2022+
SC-74
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
ON
23+
SC-74
2957
原廠原裝正品
 詢價
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價
ON
2023+
SOT163
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價
ON/安森美
24+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
更多HN1B01FDW1T1供應商 更新時間2025-1-11 10:32:00

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