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NP100P06PDG

-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0m?Max.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-50A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP100P06PDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?50A) ?Highcurrentrating:ID(

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP100P06PLG

-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0m?Max.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-50A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?50A) ?Highcurrentrating:ID

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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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微波集成電路
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原裝現(xiàn)貨 實(shí)單可談
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全新原裝現(xiàn)貨
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更多HSP100P06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 11:06:00