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HVU362	文件：49.3 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ?Highcapacitanceratio.(n=3.0min) ?GoodC-Vlinearity. ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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HW362	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
HW362	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
HZS362	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IRFP362	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP362	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
KM362J	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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KSD362	文件：223.26 Kbytes Page：6 Pages	NPN(B/WTVHORIZONTALDEFLECTIONOUTPUT) B/WTVHORIZONTALDEFLECTIONOUTPUT ?Collector-BaseVoltageVCBO=150V ?CollectorCurrentIC=5A ?CollectorDissipationPC=40W(TC=25°C)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
KSD362	文件：67.03 Kbytes Page：4 Pages	B/WTVHorizontalDeflectionOutput B/WTVHorizontalDeflectionOutput ?Collector-BaseVoltage:VCBO=150V ?CollectorCurrent:IC=5A ?CollectorDissipation:PC=40W(TC=25°C)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSD362	文件：997.71 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features HighCollector-BaseVoltage,HighCollectorCurrent. Applications B/WTVhorizontaldeflectionoutput.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
KSD362	文件：243.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=70V(Min) ·CollectorPowerDissipation- :PC=40W(Max)@TC=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB/WTVhorizontaldeflectionoutputapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KSD362R	文件：67.03 Kbytes Page：4 Pages	B/WTVHorizontalDeflectionOutput B/WTVHorizontalDeflectionOutput ?Collector-BaseVoltage:VCBO=150V ?CollectorCurrent:IC=5A ?CollectorDissipation:PC=40W(TC=25°C)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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LNK362D	文件：1.45021 Mbytes Page：18 Pages	EnergyEfficient,LowPowerOff-LineSwitcherIC OptimizedforLowestSystemCost ?ProprietaryICtrimmingandtransformerconstruction techniquesenableClampless?designswithLNK362 forlowersystemcost,componentcountandhigher efficiency ?Fullyintegratedauto-restartforshort-circuitand openloopprotection ?Self-biasedsupp	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷蘭帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT

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