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HY57V161610ET-6I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

HY57V161610ET-6

2Banksx512Kx16BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply ?All

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    HY57V161610ET-6I

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多HY57V161610ET-6I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 11:36:00

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