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HY57V161610ET-8

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply ?All

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

HY57V161610ET-8I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導體

詳細參數

  • 型號：

    HY57V161610ET-8

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HY57V161610ET-8供應商 更新時間2025-1-17 14:31:00

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