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HY57V161610ET-8I規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
THE Hynix HY57V161610E is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory and graphic applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V161610E is organized as 2banks of 524,288x16.
FEATURES
? Single 3.0V to 3.6V power supply
? All device pins are compatible with LVTTL interface
? JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm of pin
pitch
? All inputs and outputs referenced to positive edge of system
clock
? Data mask function by UDQM/LDQM
? Internal two banks operation
? Auto refresh and self refresh
? 4096 refresh cycles / 64ms
? Programmable Burst Length and Burst Type
- 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst
- 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst
? Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
HY57V161610ET-8I
- 制造商：
HYNIX
- 制造商全稱(chēng)：
Hynix Semiconductor
- 功能描述：
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HY |
TSSOP |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢(xún)價(jià) | |||
HYNIX |
21+ |
TSOP50 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
HYNIX |
19+ |
256800 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢(xún)價(jià) | |||
HY |
23+ |
TSSOP |
2602 |
全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)/假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
HYNIX |
2020+ |
TSOP |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
HYNIX |
24+ |
TSSOP |
25500 |
授權(quán)代理直銷(xiāo),原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) | ||
HYINX |
23+ |
TSOP50L |
5000 |
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
HY |
24+ |
TSOP |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢(xún)價(jià) | ||
HY |
24+ |
TSOP50 |
30 |
詢(xún)價(jià) | |||
HYNIX/海力士 |
22+ |
TSOP |
8650 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) |
