首頁(yè)>HY57V161610ET-10>規(guī)格書詳情

HY57V161610ET-10中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HY57V161610ET-10
廠商型號(hào)

HY57V161610ET-10

功能描述

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

文件大小

181.48 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Hynix海力士

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-5 15:38:00

HY57V161610ET-10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

THE Hynix HY57V161610E is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory and graphic applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V161610E is organized as 2banks of 524,288x16.

FEATURES

? Single 3.0V to 3.6V power supply

? All device pins are compatible with LVTTL interface

? JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm of pin

pitch

? All inputs and outputs referenced to positive edge of system

clock

? Data mask function by UDQM/LDQM

? Internal two banks operation

? Auto refresh and self refresh

? 4096 refresh cycles / 64ms

? Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst

- 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst

? Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HY57V161610ET-10

  • 制造商:

    HYNIX

  • 制造商全稱:

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述:

    2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HYNIX
19+
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價(jià)
HYNIX
23+
SSOP
5000
原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
HYNIX
24+
SSOP
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售
詢價(jià)
HYNIX
22+
SSOP
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
HYNIX
2016+
TSSOP
6523
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價(jià)
HY
2021+
TSOP
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
詢價(jià)
HY
23+
TSOP
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
HYNIX
24+
TSSOP
35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
詢價(jià)
HY
24+
TSOP
752
詢價(jià)
HYNIX
2016+
TSSOP
9000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價(jià)