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HY57V161610E中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY57V161610E
廠商型號

HY57V161610E
功能描述

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
文件大小

181.48 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡稱

HYNIX【海力士】

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 19:14:00
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HY57V161610E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

THE Hynix HY57V161610E is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory and graphic applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V161610E is organized as 2banks of 524,288x16.

FEATURES

? Single 3.0V to 3.6V power supply

? All device pins are compatible with LVTTL interface

? JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm of pin

pitch

? All inputs and outputs referenced to positive edge of system

clock

? Data mask function by UDQM/LDQM

? Internal two banks operation

? Auto refresh and self refresh

? 4096 refresh cycles / 64ms

? Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst

- 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst

? Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    HY57V161610E

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HYNIX
24+/25+
2880
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
HYINX
24+
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