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HY57V641620ET-6

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

DESCRIPTION TheHynixHY57V641620E(L/S)T(P)seriesisa67,108,864bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthememoryapplicationswhichrequirewidedataI/Oandhighbandwidth.HY57V641620E(L/S)T(P)isorganizedas4banksof1,048,576x16. HY57V641620E(L/S)T(P)isofferingf

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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更多HY57V641620ET-6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-16 13:58:00

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