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HY57V651620BLTC-6中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HY57V651620BLTC-6
廠商型號(hào)

HY57V651620BLTC-6
功能描述

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
文件大小

81.92 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Hynix【海力士】

中文名稱(chēng)

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 16:00:00

HY57V651620BLTC-6規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The Hynix HY57V641620HG is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG is organized as 4banks of 1,048,576 x 16.

FEATURES

? Single 3.3±0.3V power supplyNote)

? All device pins are compatible with LVTTL interface

? JEDEC standard 400mil 54 pin TSOP-II with 0.8mm of pin pitch

? All inputs and outputs referenced to positive edge of system clock

? Data mask function by UDQM or LDQM

? Internal four banks operation

? Auto refresh and self refresh

? 4096 refresh cycles/64ms

? Programmable Burst Length and Burst Type

-1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

-1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

? Programmable CAS Latency; 2, 3 Clocks

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    HY57V651620BLTC-6

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱(chēng)：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Hynix
24+
TSSOP-56
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售
 詢(xún)價(jià)
HYUNDAI
23+
TSOP
5000
原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
HYUNDAI
2020+
TSSOP
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
HYNIX
22+
SSOP
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
HYNIX
2023+
TSOP
50000
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
HYUNDAI
24+
TSOP
30
詢(xún)價(jià)
HYN
2000
50
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢(xún)價(jià)
HUAYI/華羿微
01+
SSOP
649
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
HYNIXSEMICON
23+
65480
詢(xún)價(jià)
Hynix
TSSOP-56
12
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)

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