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HYB25D512800CE-6集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

HYB25D512800CE-6
廠商型號

HYB25D512800CE-6

參數(shù)屬性

HYB25D512800CE-6 封裝/外殼為66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm);包裝為托盤托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

功能描述

DDR SDRAM
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

文件大小

1.87519 Mbytes

頁面數(shù)量

37

生產(chǎn)廠商 Qimonda AG
企業(yè)簡稱

QIMONDA

中文名稱

Qimonda AG官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-19 11:24:00

HYB25D512800CE-6規(guī)格書詳情

HYB25D512800CE-6屬于集成電路(IC) > 存儲器。Qimonda AG制造生產(chǎn)的HYB25D512800CE-6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HYB25D512800CE-6

  • 制造商:

    Qimonda

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR

  • 存儲容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)

  • 供應商器件封裝:

    66-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
QIMONDA
2023+
TSOP
3625
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
Qimonda
2023+
66-TSSOP
669
安羅世紀電子只做原裝正品貨
詢價
Qimonda
23+
66-TSOP II
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
QIMONDA
23+
TSOP
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
Qida
24+
66TSOP
5414
原裝現(xiàn)貨
詢價
QIMONDA
2023+
TSOP
8635
一級代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店
詢價
Qimonda
2023+
66-TSOP
50000
原裝現(xiàn)貨
詢價
QIMONDA
23+
TSOP
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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QIMONDA
22+
TSOP
38582
鄭重承諾只做原裝進口貨
詢價
Qimonda
20+
N/A
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