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HYB3165165AT-50中文資料西門子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HYB3165165AT-50
廠商型號(hào)

HYB3165165AT-50

功能描述

4M x 16-Bit Dynamic RAM

文件大小

284.56 Kbytes

頁面數(shù)量

29

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-1 17:00:00

HYB3165165AT-50規(guī)格書詳情

This device is a 64 MBit dynamic RAM organized 4 194 304 x 16 bits. The device is fabricated on an advanced first generation 64Mbit 0,35 μm CMOS silicon gate process technology.

Advanced Information

? 4 194 304 words by 16-bit organization

? 0 to 70 °C operating temperature

? Hyper Page Mode - EDO - operation

? Performance:

? Single + 3.3 V (± 0.3V) power supply

? Low power dissipation:

7.2 mW standby (TTL)

3.24 mW standby (MOS)

720 μA standby for L-version

? Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh (CBR), RAS-only refresh, hidden refresh and Self Refresh (L-version only

? 2 CAS / 1 WE byte control

? 8192 refresh cycles/128 ms , 13 R/ 9C addresses (HYB 3164165AT)

4096 refresh cycles/ 64 ms , 12 R/ 10C addresses (HYB 3165165AT)

2048 refresh cycles/ 32 ms , 11 R/ 11C addresses (HYB 3166165AT)

? 256ms refresh period for L-versions

? Plastic Package: P-TSOPII-50 400 mil

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HYB3165165AT-50

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    4M x 16-Bit Dynamic RAM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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