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IAUZN04S7L046中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IAUZN04S7L046
廠商型號(hào)

IAUZN04S7L046

功能描述

OptiMOSTM 7 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

4D

封裝外殼

PG-TSDSON-8-44

文件大小

2.91795 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 19:44:00

IAUZN04S7L046規(guī)格書詳情

Features

? OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Logic Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% Avalanche tested

Potential Applications

General automotive applications.

Product Validation

Qualified for automotive applications. Product validation according to AEC-Q101.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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