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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IFRI820G	文件：168.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.1A) PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.1A)	IRF International Rectifier	IRF
IGAP-820	文件：344.81 Kbytes Page：5 Pages	IndustrialIEEE802.11ac/g/nwirelessaccesspoint	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IGL820R	文件：3.83504 Mbytes Page：81 Pages	LockingDevices	COOPER COOPER	COOPER
IM820	文件：794.26 Kbytes Page：9 Pages	Pb-free,RoHSandREACHcompliant	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IQXO-820	文件：1.20137 Mbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IR-820	文件：99.9 Kbytes Page：1 Pages	ImageRejectionMixers	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成電路河北博威集成電路有限公司	BOWEI
IRF820	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF820	文件：92.75 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-2.5ohm-2.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=2.5? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALAN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF820	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS	Motorola Motorola, Inc	Motorola
IRF820	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF820	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.5A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?	IRF International Rectifier	IRF
IRF820	文件：54.37 Kbytes Page：7 Pages	2.5A,500V,3.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF820	文件：562.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlev	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820	文件：217.3 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF820	文件：66.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3Ω(Max) ·FastSwitchingSpeed ·SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeedswitching ·Swithmodepowersupplies(smps) ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF820	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF820	文件：93.33 Kbytes Page：3 Pages	20A600VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IRF820	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF820	文件：156 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820A	文件：100.33 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=3.0ohm,Id=2.5A) Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?Highspeedpowerswitching Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCu	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IB820H-R
制造商：
IBase Technology(USA) Inc.
功能描述：
FS, SOCKET478, 845GV, SUPPORT DDR, MPCIX1, W/ ICH LANX1, GMC - Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IB90SM19-0200005-012	ST	23+	QFN	59922	##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	iBA05008A008V-000-R	TDK-LAMBD	2018+	DIP	500	TDK-LAMBDA電源專營現(xiàn)貨原裝正品專營	詢價(jià)
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深圳市艾宇特電子科技有限公司	IBA05008A008V-000-R	TDK/東電化	2048+	MODULE	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
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更多IB820H-R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 14:08:00

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